1. <del id="xfmbx"></del>
                      <dfn id="xfmbx"></dfn>
                    2. <listing id="xfmbx"></listing><nobr id="xfmbx"></nobr>
                      文章詳情

                      SEMIKRON賽米控IGBT模塊的命名規則

                      日期:2021-09-08 03:10
                      瀏覽次數:1035
                      摘要: 舉例: SKM100GB123D SK SK表示SEMIKRON的IGBT M 表示應用技術或者模塊結構: M——表示采用MOS技術 D——表示七單元模塊(即互相整流橋+1CBT斬波器) 100 表示集電極電流等級,條件Tcase =25℃時的Ic,單位為A G 表示IGBT開關 B 表示線路的類型或者特點: A——表示線路為單只開...
                      舉例:                         SKM100GB123D
                      SK SK表示SEMIKRON的IGBT
                       M 表示應用技術或者模塊結構:
                      M——表示采用MOS技術
                      D——表示七單元模塊(即互相整流橋+1CBT斬波器)
                      100 表示集電極電流等級,條件Tcase =25℃時的Ic,單位為A
                      G 表示IGBT開關
                        B 表示線路的類型或者特點:
                      A——表示線路為單只開關
                      AL——表示線路為斬披器模塊(即IGBT+集電極端續流二極管)
                      AR——表示線路為斬波器模塊(即 1GBT+發射極端續流二極管)
                      AH——表示線路為非對稱H 橋
                      AX——表示線路為單只IGBT+集電極端串聯二極管(反向阻斷)
                      AY——表示線路為單只IGBT+發射極端串聯二極管(反向阻斷)
                      B——表示線路為兩單元模塊(半橋)
                      BD——表示線路為兩單元模塊(半橋)+串聯二極管(反向阻斷)
                      D——表示線路為六單元(三相橋)
                      DL——表示線路為七單元(三相橋+AL斬波器)
                      H——表示線路為單相全橋
                      M——表示線路為兩只lGBT在集電極端相連
                      12 表示集電極與發射極間電壓等級( VCE為型號中的數字×100,例如12× 100V= 1200V= VCE)
                      3 表示IGBT的系列號:
                      0——表示第1代產品(1988 ~ 1991 年,集電極額定電流為Tcase =80℃時的值)
                      1、2——表示笫l代產品(1992~1996 年,集電極額定電流為Tcase =25℃時的值。600V產品為集電極I額定電流Tcase =80℃時的值
                      3——表示第2代產品(600V與1200v為高密度NPT型IGBT。1700V為第1代NPT型IGBT+ CAL二極管。600V產品為集電極額定電流為Tase=80℃時的值。1200V與1700V產品為集電極額定電流為Tcase=25℃時的值
                      4——表示高密度、低飽和壓降NPT型IGBT( 1200V、I700V)
                      5——表示高密度、高速NPT型lGBT(600V、1200V)
                      6——表示溝道式NPT型IGBT
                      D 表示為特點:
                      D-表示快速恢復二極管
                      K——表示SEMIKRON五號外殼帶螺栓端予
                      L——表示六單元外殼帶焊接端子
                      S——表示集電極檢測端子
                      I——表示加強的反向二極管(高功率輸出)
                      賽米控的IGBT的命名方法與規律2見表2。
                      舉例:          SK 100 G B 12 3×
                      SK SK 表示SEMIKRON的IGBT
                      100 表示集電極電流等級,條件Tcase= 25℃時的Ic,單位為A。
                      G 表示應用技術或者模塊結構:
                      G——表示IGBT開關
                      M——表示MOSFET開關
                      B 表示線路的類型或者特點:
                      A——表示線路為單只開莢
                      AL——表示線路為斬波器模塊(即 IGBT+集電極端續流二極管)
                      AR——表示線路為斬波器模塊(即 IGBT+發射極端續流二極管)
                      AH——表示線路為非對稱H 橋
                      B——表示線路為兩單元模塊(半橋)
                      BD——表示線路為兩單元模塊(半橋)+串聯二極管(反向阻斷)
                      D——表示線路為六單元(三相橋)
                      H——表示線路為單相全橋
                      12 表示集電極與發射極闖電壓等級(VCE為絕號中的數字×100,例如1×100V =1200V= VCE.)
                      3 表示IGBT的系列號:
                      2——表示PT型(僅600V產品)
                      3——表示高密度NPT型產品
                      4——表示高密度、低飽和壓降 NPT型ICBT
                      5——表示高密度、高速NPT型IGBT
                      × 特點(沒有定義)

                      京公網安備 11010802025865號

                      男人女人爽好猛好痛视频 好紧好爽免费午夜视频| 亚洲熟妇专区| 怡红院亚洲| 亚洲专区欧美社区| 国产网爆抖音在线观看| 夜夜高潮夜夜爽高清视频一| 亚洲一区二区三不卡高清| 亚洲五月天成女人图区| 高清视频新国产| 亚洲乱成女人图区|